台积电2nm工艺取得重大突破 2023年风险试产良率或达90%

2020-09-24 17:22:17
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  【摘要】 据台湾经济日报报道,台积电2nm工艺取得重大突破,研发进度超前,业界看好其2023年下半年风险试产良率就可以达到90%。供应链透露,有别于3n

据台湾经济日报报道,台积电2nm工艺取得重大突破,研发进度超前,业界看好其2023年下半年风险试产良率就可以达到90%。

供应链透露,有别于3nm和5nm采用鳍式场效应晶体管(FinFET),台积电的2nm工艺改用全新的多桥通道场效电晶体(MBCFET)架构。

据了解,台积电去年成立了2nm专案研发团队,寻找可行路径进行开发。现在在2nm工艺上有所突破也将在未来代工方面带来优势。

现在台积电5nm工艺已经获得了苹果的订单,其它产能也被高通、ADM等厂商占用,如果2nm工艺量产,那么势必比竞争对手快一大截,将会获得更多的订单。