【摘要】 中芯国际14nm将量产 7nm工艺或在2020年底问世
今日中芯国际发表了今年Q2季度财报，当季盈利迎来大幅度的增长。但是现在就开心还不是时候，中芯国际的28nm工艺相对于台积电、三星要落伍三四代了，而且代工成本上也没优势。所以下一步就是对现有工艺进行改进。
中芯国际的策略是28nm工艺将不会再扩产，但是会从28nm Bulk工艺升级到更有优势的28nm HKC+工艺，主要用于API、IoT、机顶盒、IPTV等产品中。
下一个重要节点是14nm及改进型工艺12nm，中芯国际表示14nm已经进入客户风险量产阶段，目前流片数量10多个，今年秋季会正式量产，年底贡献有意义的营收，不过大规模量产还要到2021年。
14nm之后还有改进型的12nm FinFET工艺，根据中芯国际之前介绍，该工艺相比14nm晶体管尺寸进一步缩微，功耗降低20%、性能提升10%，错误率降低20%。
目前12nm工艺已经进入了客户导入阶段，进展顺利，预计年底会有多个芯片流片验证。
14/12nm工艺会是国内最先进的工艺，但是与台积电三星相比依然要落后至少两代，中芯国际还会有N+1第二代FinFET工艺追赶先进水平。虽然中芯国际一直没有确认第二代FinFET工艺会是10nm还是直接进入7nm，但从之前订购ASML的EUV光刻机来看，中芯国际应该会跳过10nm节点，毕竟10nm节点本来也是低功耗方向的，而7nm节点才是长期存在的高性能低功耗节点，意义更加重大。
N+1 FinFET节点会是中芯国际的第二阶段，预计2020年底会有试验产能，不仅是有N+1，还会有更先进一代的N+2节点。如果进展顺利的话，那么2020年底国内可能会有7nm工艺风险试产，这时候中芯国际与台积电三星的差距将缩短至一代左右。