【摘要】 美光科技宣布已开始批量生产采用1z纳米工艺的16Gb DDR4 RAM产品，该工艺目前是业界最小的特征尺寸工艺节点。美光是第一家生产16Gb 1
美光科技宣布已开始批量生产采用1z纳米工艺的16Gb DDR4 RAM产品，该工艺目前是业界最小的特征尺寸工艺节点。美光是第一家生产16Gb 1z级DDR4 RAM产品的DRAM公司，该公司相信这将使其能够在广泛的终端客户应用产品组合中提供高价值解决方案。
与之前的1Y工艺节点生成相比，1z nm工艺节点16Gb DDR4产品可提供更高的位密度以及轻微的性能提升和更低的成本。与前几代8Gb DDR4 RAM解决方案相比，新节点还可将功耗降低40%。
新的工艺节点为新的DDR4产品提供了更高的灵活性，可用于各种应用，包括人工智能，自动驾驶汽车，5G，移动设备，图形，游戏，网络基础设施和服务器。但是，美光似乎优先考虑数据中心客户，他们一直在寻求更高的性能，功耗和更低的成本。
美光公司还宣布，它已开始批量出货业内容量最大的单片16Gb低功耗双倍数据速率4X(LPDDR4X)DRAM，采用基于UFS的多芯片封装(uMCP4)。1z nm LPDDR4X和uMCP4产品主要面向寻求更长电池寿命和更小元件的智能手机公司。
三星是美光公司在DRAM市场的主要竞争对手，去年春天宣布将在今年下半年开始生产1z nm 8Gb DDR4模块，为下一代DDR5，LPDDR5和GDDR6内存产品的推出做准备。