【摘要】 据外媒报道，三星宣布，韩国华城工厂开工3家nm半导体芯片的初始生产。以及使用。FinFET三星使用了不同的上一代芯片GAA(GateAllAround)
据外媒报道，三星宣布，韩国华城工厂开工3家nm半导体芯片的初始生产。以及使用。FinFET三星使用了不同的上一代芯片GAA(GateAllAround)晶体管架构，大大提高了功率。
三星电子的3nm芯片采用了MBCFET(Multi-Bridge-ChannelFET)GAA该架构可以通过降低电源电压和提高驱动电流能力来有效地提高功率。此外，三星还在高性能智能手机处理器的半导体芯片中使用了纳米晶体管。与纳米线技术相比，通道更宽的纳米片具有更高的性能和效率。三星电子的客户可以通过调整纳米片的宽度来定制他们所需的功耗和性能指标。
为了帮助芯片客户和合作伙伴设计更好的芯片，验证他们的想法和需求，三星OEM提供了一个稳定的设计环境。SAFE(三星先进OEM生态系统)合作伙伴，如Ansys，Cadence，西门子和Synopsys，客户可以减少芯片设计、验证和批准过程所需的时间，提高产品的可靠性。
三星电子总裁兼代工负责人SiyoungChoi博士表示:“三星电子将将下一代技术应用于制造业，并继续表现出领先地位。我们将继续积极创新竞争性技术的发展，建立一个有助于加快技术成熟度的过程。”