【摘要】 6月29日消息，据BusinessKorea据报道，三星电子将于6月30日开始批量生产基于全环绕栅极的全环绕栅极（GAA）3纳米半导体技术。 报告
6月29日消息，据BusinessKorea据报道，三星电子将于6月30日开始批量生产基于全环绕栅极的全环绕栅极（GAA）3纳米半导体技术。
报告称，三星电子将于6月30日正式宣布基于6月30日正式宣布大规模生产GAA3纳米半导体。GAA晶体管结构优于当前晶体管结构FinFET结构，因为它可以降低芯片的尺寸和功耗。
如果这个消息是真的，那么三星电子公司将生产台积电和英特尔的3纳米芯片，后两家公司计划在今年下半年和明年下半年开始大规模生产3纳米芯片。
今年早些时候，一些行业观察家担心，三星电子可能会推迟3纳米半导体的大规模生产。然而，这些担忧被证明是毫无根据的。
违约对网了解到，在竞争激烈的3中，nm在工艺方面，三星电子和台积电的技术路线不同。三星电子率先采用全环绕栅极（GAA）晶体管、台积电继续采用鳍场效应晶体管（FinFET）结构。三星电子此前曾表示，采用全环绕栅极晶体管技术的3nm与目前的鳍场效应晶体管架构相比，工艺工艺性能将提高30%，能耗将降低50%，逻辑面积效率将提高45%以上。