台积电2nm工艺密度仅提升10%

2022-06-18 15:30:04
来源: 微阅读

  【摘要】   6月18日,台积电于6月18日全面公布了其3nm和2nm工艺的技术指标。与3nm工艺相比,2nm的速度在相同功耗下为10~15%;在相同的速度下,功耗

  6月18日,台积电于6月18日全面公布了其3nm和2nm工艺的技术指标。与3nm工艺相比,2nm的速度在相同功耗下为10~15%;在相同的速度下,功耗降低了25~30%。性能和功耗看起来不错,但台积电的2nm工艺在晶体管密度上挤压牙膏,只增加了10%。根据摩尔定律,新一代技术的密度增加只有100%。事实上,新一代技术只能达到70-80%以上。

  台积电没有解释为什么2nm的密度增加如此之低,这可能与使用的纳米片电晶体管技术有关。毕竟,这是一种测试大量的新一代晶体管结构。

  如果密度只增加了10%,对于苹果和AMD、高通和NVIDIA等客户来说,这不利于芯片的改进,或者只能扩大芯片的面积,这无疑会增加成本。更重要的是,台积电表示,2025年前才能大规模生产2nm工艺,这意味着芯片需要2026年才能发货。直到四年后才能看到,技术升级的时间比之前的5nm和3nm要长。

  由于后者预计将在2024年批量生产20A工艺和改进版的18A工艺,因此台积电在2nm工艺上的挤牙膏给了Intel一个机会,这也是一个2nm级别。目前,两家公司的2nm工艺都在PPT上,但台积电的2nm工艺性能并不令人满意,这使得Intel有可能回到半导体工艺的第一目标。