【摘要】 今天的3D闪存已经在行业中发挥了建筑竞争。去年，镁光176层堆栈闪存动摇了三星的领先地位。然而，三星计划在今年年底和明年年初恢复。
今天的3D闪存已经在行业中发挥了建筑竞争。去年，镁光176层堆栈闪存动摇了三星的领先地位。然而，三星计划在今年年底和明年年初恢复。第八代V-NAND闪存将于今年年初推出。堆栈层数首次超过200层。以前有传言说是228层，现在有224层，相当于在128层的基础上再堆叠96层。
三星将推224层闪存速度提高30%
据悉，三星的224层闪存性能非常好，数据速度提高了30%，生产效率也提高了30%。
此外，三星的224层闪存技术也非常困难。此前，三星是唯一一家利用单堆栈技术实现128层闪存的公司。这一次，224层采用双堆栈技术，技术挑战十分严峻。