【摘要】 核心研究所6月18日消息，台积电在北美技术论坛上发布了一张新的制程路线图，该路线图将定于2025年量产2nm工艺，该工艺采用纳米电晶（纳
核心研究所6月18日消息，台积电在北美技术论坛上发布了一张新的制程路线图，该路线图将定于2025年量产2nm工艺，该工艺采用纳米电晶（纳米电晶）的微观结构，取代了Finfet。在此期间，台积电甚至计划在2025年前提高成熟度和专业工艺能力50%，包括N3.N3E.N3P.N3S和N3X，包括建造更多的晶圆工厂。
显然，EUV光刻机作为提高产能和建设晶圆厂的关键核心设备，必须大量购买。台积电表示，新一代EUV极紫外线刻机计划于2024年引入ASML。
此前，英特尔曾表示，他是第一家订购下一代ASMLEUV光刻机的制造商，并计划在2025年前使用。三星也不愿意表现出软弱。本周，副总裁李在前往荷兰会见ASML高管，据说至少获得了18台（ASML今年预计将运出51台EUV）。根据数据，荷兰ASML正在开发新的光刻机，高NAXE：5200（0.5NA）。所谓的高NA是一个高数值的孔径，必须依靠它来实现2nm后的节点。这台光刻机价值4亿美元（约26亿元人民币），双层巴士大，重达200多吨。