【摘要】 业内人士透露，长江存储最近已向部分客户交付了自主研发的192层3DNAND闪存样品，预计将于今年年底正式推出。 据报道，长江存储已交
业内人士透露，长江存储最近已向部分客户交付了自主研发的192层3DNAND闪存样品，预计将于今年年底正式推出。
据报道，长江存储已交付192层3DNAND闪存样品，并于年底推出。
据《电子时报》报道，上述人士表示，推出192层3DNAND闪存芯片是长江存储的里程碑。该公司正试图赶上更大的韩国和美国同行在技术竞赛中。
据消息人士透露，由于128层3DNAND闪存工艺的良率已提高到令人满意的水平，长江存储也将月产量扩大到10万片晶圆。公司将很快完成总部位于武汉的工厂二期设施建设，预计今年晚些时候启动设备入驻。到2023年底，长江的月产量可能超过20万件，预计全球市场份额将达到7-8%。
另一方面，美光科技推出了业内首款232层3DNAND闪存，预计将在2023年推出的新SSD中使用。市场观察者认为，三星电子预计将在2022年晚些时候加入200层以上3DNAND闪存的竞争。