【摘要】 最近，据清华大学官方网站报道，清华大学集成电路学院任天令教授团队在小型晶体管研究方面取得了重要进展，首次实现了亚1纳米网长晶体
最近，据清华大学官方网站报道，清华大学集成电路学院任天令教授团队在小型晶体管研究方面取得了重要进展，首次实现了亚1纳米网长晶体管，具有良好的电气性能。
网络介绍，为了进一步突破1纳米以下栅长晶体管的瓶颈，研究小组巧妙地利用石墨烯膜超薄单原子层厚度和优异的导电性作为栅极，通过石墨烯侧电场控制垂直MOS2沟开关，实现0.34nm等效物理栅长。
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亚1纳米栅长晶体管结构示意图。
清华大学集成电路学院任天令教授团队在小型晶体管研究方面取得了重大突破，首次实现了亚1纳米长晶体管-集成电路学院-图为亚1纳米长晶体管设备工艺流程示意图、表征图和物理图jpg。
亚1纳米栅长晶体管设备工艺流程、示意图、表征图和实物图。
重大突破！亚1nm栅极晶体管首次在清华大学实现：等效0.34nm。
通过在石墨烯表面沉积金属铝并自然氧化，完成了对石墨烯垂直电场的屏蔽。然后使用原子层沉积的二氧化氢作为栅极介质，化学气相沉积的单层二维二硫化钼膜作为通道。相关结果以亚1纳米网长度垂直硫化钼晶体管为标题，3月10日在国际顶级学术期刊《自然》上发表。