【摘要】 据businesskorea报道，三星电子正在加快3DRAM的研发，这家半导体巨头已经开始加强招聘人员等相关团队建设。 在过去，DRAM是通过在一
据businesskorea报道，三星电子正在加快3DRAM的研发，这家半导体巨头已经开始加强招聘人员等相关团队建设。
在过去，DRAM是通过在一个平面上排列晶体管和电容器来生产的。然而，随着20世纪80年代末DRAM容量超过4兆，很难提高DRAM的密度，因此电路和电容器的重新排列是不可避免的。当时，DRAM行业分为沟槽组和堆栈组前者选择将电路和存储器放在平面下，后者选择在平面上堆积。
日本东芝、NEC和美国IBM更倾向于沟槽，而三星电子则选择堆叠。当时，三星电子采用堆叠法，因为它更容易制造DRAM，检查生产过程中的问题。因此，三星电子可以建立一个半导体帝国，并在DRAM市场上保持第一位约30年。
在堆叠方法变得普遍后，芯片制造商通过缩小单元尺寸或间距来提高DRAM的性能。然而，在有限的空间内增加单元遇到了物理限制。另一个问题是，如果电容器变薄，它们可能会倒塌。在这种背景下提出了3DRAM的概念，目前的DRAM可以称为2DRAM。
据报道，三星电子已经开发了一种躺着堆叠单元的技术。这是一个不同于高带宽内存(HBM)的概念，它是通过堆叠多个模具产生的。
此外，三星电子还在考虑增加DRAM晶体管的格栅极(电流门)与通道(电流路径)之间的接触面。这意味着三面接触的Finfet技术和四面接触的Gate-al-around(GAA)技术可以用于DRAM生产。当格栅极和通道之间的接触面增加时，晶体管可以更准确地控制电流动。
微阅读网了解到，美光科技和SK海力士也在考虑开发3DRAM。美光提交了不同于三星电子的3DRAM专利申请。美光的方法是改变晶体管和电容器的形状，而不铺设单元。全球半导体设备制造商，如AppliedMaterials和Lamresearch，也开始开发与3DRAM相关的解决方案。
然而，由于开发新材料的困难和物理限制，3DRAM的商业化还需要一些时间。业内人士预测，3DRAM将于2025年左右问世。